NEC 公司（NEC；TSE：6701）開(kāi)發(fā)了一款功率放大器，將作為移動(dòng)接入和前傳/回傳無(wú)線通信設(shè)備的關(guān)鍵器件，以實(shí)現(xiàn) 5G 的高速、大容量通信先進(jìn)的 6G 網(wǎng)絡(luò)。該功率放大器采用可量產(chǎn)的GaAs技術(shù)，在150 GHz頻段實(shí)現(xiàn)了10 mW的世界最高輸出功率(*)。利用這一點(diǎn)，NEC 旨在快速推進(jìn)設(shè)備開(kāi)發(fā)和社會(huì)實(shí)施。

5G Advanced 和 6G 預(yù)計(jì)將提供 100 Gbps 級(jí)的高速、大容量通信，相當(dāng)于當(dāng)前 5G 速度的 10 倍。這可以通過(guò)使用亞太赫茲頻段（100至300 GHz）來(lái)有效實(shí)現(xiàn)，該頻段可提供10 GHz或更高的寬帶寬。特別是，國(guó)際上分配給固定無(wú)線通信的 D 頻段（130 至 174.8 GHz）有望盡早實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

NEC 利用其在 5G 基站無(wú)線電設(shè)備和 PASOLINK（一種通過(guò)無(wú)線通信連接基站的超緊湊微波通信系統(tǒng)）的開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)中積累的高頻頻段知識(shí)，不斷推動(dòng)技術(shù)開(kāi)發(fā)。

新開(kāi)發(fā)的功率放大器采用商用0.1μm砷化鎵（GaAs）贗晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝。與亞太赫茲頻段使用的 CMOS 和硅鍺 (SiGe) 相比，GaAs pHEMT 具有較高的工作電壓和較低的批量生產(chǎn)初始成本。

在電路設(shè)計(jì)方面，該功率放大器消除了高頻段性能下降的因素，并采用適合高輸出功率的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)配置。這使得 GaAs pHEMT 在 110 GHz 至 150 GHz 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了出色的高頻特性以及世界上最高的輸出功率。

除了實(shí)現(xiàn)100GHz以上的高性能、低成本無(wú)線電通信設(shè)備外，該功率放大器還將加速5G Advanced和6G的社會(huì)實(shí)施。

展望未來(lái)，NEC 將繼續(xù)開(kāi)發(fā)旨在實(shí)現(xiàn) 5G Advanced 和 6G 高速、高容量、經(jīng)濟(jì)高效的無(wú)線通信的技術(shù)。

這項(xiàng)研究得到了日本總務(wù)省的支持（JPJ000254）。

NEC 將在 IEEE 無(wú)線電和無(wú)線應(yīng)用射頻/微波功率放大器主題會(huì)議 (PAWR2023) 上公布有關(guān)該技術(shù)的更多細(xì)節(jié)，該國(guó)際會(huì)議計(jì)劃于 2023 年 1 月 22 日開(kāi)始在美國(guó)內(nèi)華達(dá)州拉斯維加斯舉行。

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本文由日本NEC鋰電池中國(guó)營(yíng)銷中心于2023-07-01 19:58:29 整理發(fā)布。
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